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三星5nm EUV和台积电6nm EUV

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三星5nm EUV和台积电6nm EUV
2019-05-0412:41
本周,台积电和三星已经发布竞争声明,继续提高进入FinFET芯片市场的竞争标准。
三星本周宣布5nm EUV已准备好与PDK,EDA,IP和MPW工具配合使用。
三星已准备好生产14纳米,11纳米,10纳米,8纳米,7纳米EUV和6纳米EUV。
与7nm工艺相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,能耗降低了20%,性能降低了10%。
三星电子铸造厂执行副总裁Charlie Bae说:
“我们继续加快基于EUV的技术的大规模生产,以满足客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分下一代产品。
“Samson基于OEM的EUV工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。
此外,三星还将其EUV能力扩展到新的Hwase EUV生产线,并于2019年底完成并于明年开始生产。
“凭借PPA和IP等众多优势,三星基于EUV的先进节点有望在5G,人工智能(AI)和计算等新兴创新应用中实现创新。利用我们强大的技术竞争力,包括高性能(HPC)EUV光刻技术的领先地位,三星将继续为我们的客户提供尖端技术和解决方案。
“在没有落后的情况下,三星宣布在5纳米EUV之后的第二天,台积电宣布推出6纳米EUV,以填充16纳米,12纳米,10纳米,7纳米,7纳米EUV,6纳米EUV和5纳米EUV FinFET产品。
TSMC 6nm具有超过7nm的18%密度的优势。
台积电宣布5nm生态系统上周已完成7nm。
比逻辑密度快8倍,速度快15%。
6纳米TSMC工艺的逻辑密度比7纳米工艺高18%。
同时,其设计规则与TSMC久经考验的7 nm技术完全兼容。
台积电业务发展副总裁Kevin Zhang博士说:
“基于7nm技术的广泛成功,我们相信凭借我们先进的现有设计生态系统,我们可以通过新产品快速提供更高的产品价值。
“这是个好消息,但问题在于这些新节点的所有IP都来自哪里。”
该生态系统有数千个基于FinFET测试的IP,每个节点都需要协调和验证。
当然,这绝对是成为半导体IP或IP管理软件公司的好时机。



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